ตัวเก็บประจุเซรามิก

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น SMD KLS10-MLCC

ข้อมูลผลิตภัณฑ์ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น SMD KLS10-MLCC-X7R-0402-50V-103-K หมายเลขชิ้นส่วน รายละเอียด ชิ้น/กล่อง น้ำหนักรวม (กก.) น้ำหนักรวม (ม.3) จำนวนสั่งซื้อ เวลาสั่งซื้อ

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบแกน KLS10-CC42 และ KLS10-CT42

ข้อมูลผลิตภัณฑ์ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบแกน KLS10-CT42-104-M-17-Y-50-P-26 KLS10-CC42-104-M-17-Y-50-P-26 หมายเลขชิ้นส่วน รายละเอียด ชิ้น/กล่อง น้ำหนักรวม (กก.) น้ำหนักรวม (ม.3) จำนวนสั่งซื้อ เวลาสั่งซื้อ

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบเรเดียล KLS10-CC4 และ KLS10-CT4

ข้อมูลผลิตภัณฑ์ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นแบบเรเดียล KLS12-CT4-0805-Y-104-M-50-PKLS12-CC4-0805-Y-104-M-50-P หมายเลขชิ้นส่วน รายละเอียด ชิ้น/กล่อง น้ำหนักรวม (กก.) น้ำหนักรวม (ม.3) จำนวนสั่งซื้อ เวลาสั่งซื้อ

ตัวเก็บประจุเซรามิกกึ่งตัวนำ KLS10-HLS

ข้อมูลผลิตภัณฑ์ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบกึ่งนำไฟฟ้า 1. คุณสมบัติและการใช้งาน ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นนี้เป็นแบบโครงสร้างกึ่งนำไฟฟ้าที่ชั้นผิว มีลักษณะเด่น เช่น มีความจุสูง ขนาดเล็ก เป็นต้น เหมาะอย่างยิ่งสำหรับใช้ในวงจรบายพาส วงจรคัปปลิ้ง วงจรกรอง และวงจรแยก เป็นต้น 2. ข้อมูลจำเพาะ

ตัวเก็บประจุเซรามิกค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูง KLS10-HKL

ข้อมูลผลิตภัณฑ์ ตัวเก็บประจุเซรามิกค่าคงที่ไดอิเล็กทริกสูง ข้อมูลจำเพาะ

ตัวเก็บประจุเซรามิกชดเชยอุณหภูมิ KLS10-CC1

ข้อมูลผลิตภัณฑ์ ตัวเก็บประจุเซรามิกชดเชยอุณหภูมิ KLS10-CC1-F-NPO-103-K หมายเลขชิ้นส่วน รายละเอียด ชิ้น/กล่อง น้ำหนักรวม (กก.) น้ำหนักรวม (ม.3) จำนวนสั่งซื้อ เวลาสั่งซื้อ

ตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูง KLS10-HV16

ข้อมูลผลิตภัณฑ์ ตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูง หมายเลขชิ้นส่วน คำอธิบาย PCS/CTN GW(KG) CMB(m3) จำนวนสั่งซื้อ เวลาสั่งซื้อ

ตัวเก็บประจุเซรามิกมาตรฐานความปลอดภัย KLS10-Y2X1

ข้อมูลผลิตภัณฑ์ ตัวเก็บประจุเซรามิกมาตรฐานความปลอดภัย ลักษณะทางไฟฟ้า: แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: X1:AC400V, Y2:AC250V ความจุ: 100PF-1000PF ความคลาดเคลื่อนของความจุ: ±10%(K), ±20%(M) อุณหภูมิที่กำหนด: -40

ตัวเก็บประจุเซรามิกมาตรฐานความปลอดภัย KLS10-Y1X1

ข้อมูลผลิตภัณฑ์ ตัวเก็บประจุเซรามิกมาตรฐานความปลอดภัย ลักษณะทางไฟฟ้า: แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: X1:AC400V, Y1:AC250V ความจุ: 100PF-4700PF ความคลาดเคลื่อนของความจุ: ±10%(K), ±20%(M) อุณหภูมิที่กำหนด: -40