ผลิตภัณฑ์

คริสตัลออสซิลเลเตอร์ SMD3.2X2.5X0.9mm KLS14-OSC3225

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

คริสตัลออสซิลเลเตอร์ SMD2.5X2.0X0.8mm KLS14-OSC2520

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

คริสตัลออสซิลเลเตอร์ SMD 2.05X1.65X0.85 มม. KLS14-OSC2016

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัลแก้ว SMD5.0×3.2×1.1 มม. KLS14-GC5032

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัลแก้ว SMD3.2×2.5×0.8 มม. KLS14-GC3225

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัลเซรามิก SMD7.0×5.0×1.1 มม. KLS14-MC7050

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัลเซรามิก SMD6.0×3.5×1.0 มม. KLS14-MC6035

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัลเซรามิก SMD5.0×3.2×0.7 มม. KLS14-MC5032

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัลเซรามิก SMD3.2×2.5×0.8 มม. KLS14-MC3225

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัลเซรามิก SMD2.5×2.0×0.55 มม. KLS14-MC2520

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัลเซรามิก SMD2.0×1.6×0.55 มม. KLS14-MC2016

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัลเซรามิก SMD1.6×1.2×0.35 มม. KLS14-MC1612

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัลเซรามิก SMD1.2×1.0×0.3 มม. KLS14-MC1210

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

เรโซเนเตอร์คริสตัล SMD KLS14-HC-49SMD

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

เรโซเนเตอร์คริสตัล DIP KLS14-HC-49S

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัล 32.768KHz 3.2×1.5×0.8 มม. SMD KLS14-MC3215

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัล 32.768KHz 2.0×1.2X0.6 มม. SMD KLS14-MC2012

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัล 32.768KHz 7.0×1.5×1.4 มม. SMD KLS14-MC7015

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัล 32.768KHz 8.0×3.8×2.4 มม. SMD KLS14-MC-306

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัล 32.768KHz 3.0×8.0 มม. DIP KLS14-JU-308

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

หน่วยคริสตัล 32.768KHz 2.0×6.0 มม. DIP KLS14-JU-206

ภาพสินค้า ข้อมูลสินค้า

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบแกน KLS10-CC42 และ KLS10-CT42

รูปภาพผลิตภัณฑ์ ข้อมูลผลิตภัณฑ์ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบแกน

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบเรเดียล KLS10-CC4 และ KLS10-CT4

รูปภาพผลิตภัณฑ์ ข้อมูลผลิตภัณฑ์ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นแบบเรเดียล

ตัวเก็บประจุเซรามิกกึ่งตัวนำ KLS10-HLS

ภาพผลิตภัณฑ์ ข้อมูลผลิตภัณฑ์ ตัวเก็บประจุเซรามิกกึ่งตัวนำ 1. คุณสมบัติและการใช้งาน ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นนี้เป็นโครงสร้างกึ่งตัวนำที่ชั้นผิว มีลักษณะเฉพาะ เช่น มีความจุสูง ขนาดเล็ก เป็นต้น เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้ในวงจรบายพาส วงจรคัปปลิ้ง วงจรกรอง และวงจรแยก เป็นต้น 2. ข้อมูลจำเพาะ ความจุ 0.01μF~0.22μF ความคลาดเคลื่อนของความจุ K(±10%),M(±20%),Z(+80% -20%) อุณหภูมิในการทำงาน ...